การเพิ่มขึ้นของราคา DRAM จะเริ่มขึ้นโดย Samsung และ Micron ประสบการเพิ่มขึ้น 20% ในไตรมาสที่ 1 ปี 2024
จากแหล่งข้อมูลจาก บริษัท โมดูลจัดเก็บข้อมูลซัพพลายเออร์ชิปจัดเก็บข้อมูลเช่น Samsung Electronics และ Micron Technology กำลังพิจารณาราคา DRAM ที่เพิ่มขึ้น 15% -20% ในไตรมาสแรกของปี 2567
เมื่อเทียบกับราคาที่สูงขึ้นของหน่วยความจำแฟลช NAND การกำหนดราคา DRAM ยังคงค่อนข้างเสถียรในไตรมาสที่สี่ของปี 2566 อย่างไรก็ตามแหล่งข่าวกล่าวว่าผู้ผลิตชิปจัดเก็บข้อมูลในปัจจุบันคาดว่าจะมุ่งเน้นไปที่ DRAMs เช่น DDR4 และ DDR5 ในรอบต่อไปของการเพิ่มราคาการกู้คืนผลกำไร
โรงงานจัดเก็บข้อมูลได้รับการแจ้งเตือนจากซัมซุงเพื่อเพิ่มราคา DRAM อย่างน้อย 15% ในไตรมาสแรกของปี 2567 แต่ซัมซุงไม่ได้พูดถึงราคาของหน่วยความจำแฟลช NAND แต่คาดว่าราคา NAND โรงงานจะเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องในเดือนธันวาคม 2566 ราคา DRAM เพิ่มขึ้น 2% -3% เพิ่มราคา DRAM อย่างมีนัยสำคัญ แต่ต่ำกว่าการเพิ่มขึ้นประมาณ 10% ใน 3D TLC NAND สำหรับเดือนนั้น
เนื่องจากความต้องการโทรศัพท์มือถือและเซิร์ฟเวอร์ค่อยๆดีขึ้นเรื่อย ๆ การจัดหา DRAM จึงคาดว่าจะกระชับผู้ผลิตชิปจัดเก็บข้อมูลในปัจจุบันมีความกระตือรือร้นที่จะเพิ่มราคา DDR4 และ DDR5 ในช่วงครึ่งแรกของปี 2567 ในขณะที่การผลิต DDR3 และราคาจะค่อนข้างเสถียร
แหล่งข่าวกล่าวว่าผู้ผลิตโมดูลจัดเก็บข้อมูลได้เพิ่มขึ้นในราคาต่ำในช่วงไม่กี่เดือนที่ผ่านมาและ Samsung คาดว่าจะถ่ายภาพครั้งแรกในรอบต่อไปของการปรับราคา DRAM
ซัพพลายเออร์ DRAM เกาหลีได้ลดอัตราการใช้งานของ DRAM ในช่วงครึ่งหลังของปี 2566 การผลิต DRAM ของซัมซุงในไตรมาสที่สี่ของปี 2566 มีเพียงประมาณ 70% ของไตรมาสแรกของปี 2566 และเพิ่มว่าซัมซุงเพิ่มสัดส่วนขั้นสูงกระบวนการผลิตในการผลิตคาดว่าการผลิต DRAM จะยังคงถูกควบคุมอย่างเข้มงวดในไตรมาสแรกของปี 2567 ซัพพลายเออร์ชิปจะพึ่งพาโหนดขั้นสูงมากขึ้นในขณะที่ลดการผลิตกระบวนการผู้ใหญ่
ผู้ผลิตชิป DRAM สามอันดับแรกที่ใช้กระบวนการ 1x nm หรือ 1y nm สำหรับ DDR4 ของพวกเขา แต่ในปี 2023 Samsung จะถ่ายโอนผลิตภัณฑ์ 8GB และ 16GB ไปยังกระบวนการ 1Z NM ในขณะที่ไมครอนจะถ่ายโอนการผลิต DDR4 ไปยังกระบวนการ 1 α nmผู้ผลิตชิปจัดเก็บข้อมูลได้เปลี่ยนโฟกัสจาก 16GB DDR5 เป็น 1 αการโยกย้ายโหนดเป็น 1 βโหนด
ในไตรมาสที่สี่ของปี 2566 ทั้ง DRAM และ NAND ไม่ประสบปัญหาการขาดแคลนอุปทานแสดงให้เห็นว่าความต้องการในตลาดเทอร์มินัลยังไม่ฟื้นตัวและแนวโน้มของเดือนกุมภาพันธ์ก่อนปีใหม่ทางจันทรคติจะค่อนข้างอนุรักษ์นิยม
โรงงานจัดเก็บข้อมูลได้รับการแจ้งเตือนจากซัมซุงเพื่อเพิ่มราคา DRAM อย่างน้อย 15% ในไตรมาสแรกของปี 2567 แต่ซัมซุงไม่ได้พูดถึงราคาของหน่วยความจำแฟลช NAND แต่คาดว่าราคา NAND โรงงานจะเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องในเดือนธันวาคม 2566 ราคา DRAM เพิ่มขึ้น 2% -3% เพิ่มราคา DRAM อย่างมีนัยสำคัญ แต่ต่ำกว่าการเพิ่มขึ้นประมาณ 10% ใน 3D TLC NAND สำหรับเดือนนั้น
เนื่องจากความต้องการโทรศัพท์มือถือและเซิร์ฟเวอร์ค่อยๆดีขึ้นเรื่อย ๆ การจัดหา DRAM จึงคาดว่าจะกระชับผู้ผลิตชิปจัดเก็บข้อมูลในปัจจุบันมีความกระตือรือร้นที่จะเพิ่มราคา DDR4 และ DDR5 ในช่วงครึ่งแรกของปี 2567 ในขณะที่การผลิต DDR3 และราคาจะค่อนข้างเสถียร
แหล่งข่าวกล่าวว่าผู้ผลิตโมดูลจัดเก็บข้อมูลได้เพิ่มขึ้นในราคาต่ำในช่วงไม่กี่เดือนที่ผ่านมาและ Samsung คาดว่าจะถ่ายภาพครั้งแรกในรอบต่อไปของการปรับราคา DRAM
ซัพพลายเออร์ DRAM เกาหลีได้ลดอัตราการใช้งานของ DRAM ในช่วงครึ่งหลังของปี 2566 การผลิต DRAM ของซัมซุงในไตรมาสที่สี่ของปี 2566 มีเพียงประมาณ 70% ของไตรมาสแรกของปี 2566 และเพิ่มว่าซัมซุงเพิ่มสัดส่วนขั้นสูงกระบวนการผลิตในการผลิตคาดว่าการผลิต DRAM จะยังคงถูกควบคุมอย่างเข้มงวดในไตรมาสแรกของปี 2567 ซัพพลายเออร์ชิปจะพึ่งพาโหนดขั้นสูงมากขึ้นในขณะที่ลดการผลิตกระบวนการผู้ใหญ่
ผู้ผลิตชิป DRAM สามอันดับแรกที่ใช้กระบวนการ 1x nm หรือ 1y nm สำหรับ DDR4 ของพวกเขา แต่ในปี 2023 Samsung จะถ่ายโอนผลิตภัณฑ์ 8GB และ 16GB ไปยังกระบวนการ 1Z NM ในขณะที่ไมครอนจะถ่ายโอนการผลิต DDR4 ไปยังกระบวนการ 1 α nmผู้ผลิตชิปจัดเก็บข้อมูลได้เปลี่ยนโฟกัสจาก 16GB DDR5 เป็น 1 αการโยกย้ายโหนดเป็น 1 βโหนด
ในไตรมาสที่สี่ของปี 2566 ทั้ง DRAM และ NAND ไม่ประสบปัญหาการขาดแคลนอุปทานแสดงให้เห็นว่าความต้องการในตลาดเทอร์มินัลยังไม่ฟื้นตัวและแนวโน้มของเดือนกุมภาพันธ์ก่อนปีใหม่ทางจันทรคติจะค่อนข้างอนุรักษ์นิยม