ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4003RLG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4003RLG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4003RLG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4003 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4003RLG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4003RLG | 1N4004 | 1N4004 | 1N4003G-T |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc | Diodes Incorporated |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 8pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 400 V | 400 V | 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-41 | DO-41 | DO-41 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4003 | 1N400 | - | 1N4003 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bag | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4003RLG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4003RLG - onsemi
1N4004SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004 M41N4003G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003GPonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003-RCA-3Rectron USA1N4003SDiotec SemiconductorDIODE 200V 1A A-405
1N4004Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4003Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4004 TE85RTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N4003GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4004onsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4003GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4004Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 400V 1A1N4003GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N4003-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4003GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที