ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5407
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5407 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5407
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 170°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5407 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5407
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5407 | 1N5406G | 1N5406RLG | 1N5408 |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | onsemi | SMC Diode Solutions |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 600 V | 1000 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5407 | 1N540 | 1N5406 | 1N540 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 0V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 170°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-201AD | Axial | DO-201AD |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5407 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5407 - onsemi
1N5406GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406RLGonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 1000V 3A1N5408Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5406G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406GYangjie TechnologyDO-201AD 600V 3A Diodes Rectif
1N5407-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO151N5407NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5407-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
1N5408onsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5406GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5407SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที