ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5401YBU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5401YBU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5401YBU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 400MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5401 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5401YBU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5401YBU | 2N5401RLRAG | 2N5416 | 2N5415 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 300 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 50nA (ICBO) | 1mA | 50µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | 600 mA | 1 A | 1 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Box |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 400MHz | 300MHz | - | 15MHz |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V | 30 @ 50mA, 10V | 30 @ 50mA, 10V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA | 2V @ 5mA, 50mA | 2.5V @ 5mA, 50mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-5AA | TO-39 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 750 mW | 1 W |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | PNP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5401 | 2N5401 | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | 200°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5401YBU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5401YBU - onsemi
2N5401RLRAGonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO922N5416Microchip TechnologyPNP TRANSISTORS2N5415Solid State Inc.TRANS PNP 200V 1A TO392N5401L-B-AB3-RUTC
2N5415onsemiTRANS PNP 200V 0.1A TO39
2N5415STMicroelectronicsTRANS PNP 200V 1A TO392N5416NTE Electronics, IncTRANS PNP 300V 1A TO392N5401YTAonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO92-32N5401S-RTKKEC2N5401S-RTK/PKEC2N5423MOTOROLAIGBT Module2N5401LUTC
2N5401HTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2N5415Microchip TechnologyPNP TRANSISTORS2N5401TAonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO92-32N5416STMicroelectronicsTRANS PNP 300V 1A TO392N5401SKEC2N5401GonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO92| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที