ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DTA123JET1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DTA123JET1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DTA123JET1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DTA123JET1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DTA123JET1 | DTA123JE | DTA123JETL | DTA123JCA |
| ผู้ผลิต | onsemi | Yangjie Technology | Rohm Semiconductor | Yangjie Technology |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SOT-523 | SC-75, SOT-416 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | SOT-523 | EMT3 | SOT-23 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | - | 47 kOhms | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 150 mW | 150 mW | 200 mW |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased + Diode | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased + Diode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 | DTA123 | DTA123 | DTA123 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DTA123JET1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DTA123JET1 - onsemi
DTA123JEYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123JETLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3DTA123JCAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123ESATPLAPIS TechnologyDTA123JKALAPIS TechnologyDTA123JKA T146LAPIS TechnologyDTA123JET1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75DTA123EUAT106Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3DTA123JKLAPIS TechnologyDTA123JEBLAPIS TechnologyDTA123JMT2LRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3DTA123JKAT146Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3DTA123JE TLLAPIS TechnologyDTA123JEBTLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3FDTA123EUAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123JSADTA123JS3CYSTECHDTA123EUA T106LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที