ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DTA123JET1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DTA123JET1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DTA123JET1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DTA123JET1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DTA123JET1 | DTA123JMT2L | DTA123JETL | DTA123JEBTL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SOT-723 | SC-75, SOT-416 | SC-89, SOT-490 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | VMT3 | EMT3 | EMT3F (SOT-416FL) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | 47 kOhms | 47 kOhms | 47 kOhms |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 150 mW | 150 mW | 150 mW |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 | DTA123 | DTA123 | DTA123 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DTA123JET1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DTA123JET1 - onsemi
DTA123JKLAPIS TechnologyDTA123EMGT2LLAPIS TechnologyDTA123JMT2LRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3DTA123JETLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3DTA123JEBTLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3FDTA123JEBLAPIS Technology
DTA123JCAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123JKAT146Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3DTA123JKALAPIS TechnologyDTA123JET1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75DTA123JKA T146LAPIS Technology
DTA123EUAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123EUAT106Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3DTA123ESATPLAPIS TechnologyDTA123JEYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123JE TLLAPIS TechnologyDTA123EUA T106LAPIS TechnologyDTA123JSATPLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที