ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCD3400N80Z
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCD3400N80Z คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCD3400N80Z
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 200µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
ชุด | SuperFET® II | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 32W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCD3400 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCD3400N80Z
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCD3400N80Z | FCD2250N80Z | FCD3400N80Z | FCD1300N80Z |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | 2.6A (Tc) | 2A (Tc) | 4A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 9.6 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400 pF @ 100 V | 585 pF @ 100 V | 400 pF @ 100 V | 880 pF @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ชุด | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 200µA | 4.5V @ 260µA | 4.5V @ 200µA | 4.5V @ 400µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 1.3Ohm @ 2A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 32W (Tc) | 39W (Tc) | 32W (Tc) | 52W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCD3400 | FCD2250 | - | FCD1300 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCD3400N80Z PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCD3400N80Z - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที