ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC6306P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC6306P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC6306P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.9A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 441pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.9A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6306 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC6306P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC6306P | FDC6305N | FDC6310P | FDC6304P |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.9A | 2.7A | 2.2A | 460mA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.9A, 4.5V | 80mOhm @ 2.7A, 4.5V | 125mOhm @ 2.2A, 4.5V | 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V | 5nC @ 4.5V | 5.2nC @ 4.5V | 1.5nC @ 4.5V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | 700mW | 700mW | 700mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 441pF @ 10V | 310pF @ 10V | 337pF @ 10V | 62pF @ 10V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6306 | FDC6305 | FDC6310 | FDC6304 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 25V |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC6306P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC6306P - onsemi
FDC6305NonsemiMOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6FDC6312/RCR1591SLFAIRCHILD/RCR
FDC6303N MOSFairchild (onsemi)FDC6310P MOSFairchild (onsemi)FDC6306P-NLFairchild (onsemi)FDC6304P-NLFairchild (onsemi)FDC6304P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC6310PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6FDC6304PonsemiMOSFET 2P-CH 25V 460MA SSOT6FDC6305N-NLFairchild (onsemi)FDC6306MIFDC6312MIFDC6306P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC6308AMI Semiconductor/onsemiFDC6305N MOSFairchild (onsemi)FDC6306C/RCR1591SLFAIRCHILD/RCRFDC6308PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDC6310PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที