ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDH210N08
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDH210N08 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDH210N08
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 462W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 210A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDH210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDH210N08
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDH210N08 | FDH055N15A | FDH27N50 | FDH047AN08A0 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ชุด | - | PowerTrench® | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 5.9mOhm @ 120A, 10V | 190mOhm @ 13.5A, 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | 150 V | 500 V | 75 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 6V, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 210A (Tc) | 158A (Tc) | 27A (Tc) | 15A (Tc) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 462W (Tc) | 429W (Tc) | 450W (Tc) | 310W (Tc) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDH210 | FDH055 | FDH27 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDH210N08 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDH210N08 - onsemi
FDH300ATRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH055N15AonsemiMOSFET N-CH 150V 158A TO247-3FDH27N50onsemiMOSFET N-CH 500V 27A TO247-3FDH047AN08A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 15A TO247-3
FDH300onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH055N15AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDH333TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH2N60FEIHONGFDH300TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH15N50onsemiMOSFET N-CH 500V 15A TO247-3FDH055N15AEFairchild (onsemi)FDH300ATRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH210N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V TO247-3FDH055N15A MOSFairchild (onsemi)FDH047AN08AOFairchild (onsemi)
FDH1040B-R14MP3Murata Electronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที