ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMS10C4D2N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMS10C4D2N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMS10C4D2N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMS10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMS10C4D2N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMS10C4D2N | FDMS039N08B | FDMS1D5N03 | FDMS2506SDC |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±16V | ±20V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V | 3.9mOhm @ 50A, 10V | 1.15mOhm @ 40A, 10V | 1.45mOhm @ 30A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMS10 | FDMS039 | FDMS1D5 | FDMS25 |
ชุด | - | PowerTrench® | PowerTrench® | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | 83W (Tc) | 3.3W (Ta), 89W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 63 nC @ 4.5 V | 93 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 50 V | 7600 pF @ 40 V | 9690 pF @ 15 V | 5945 pF @ 13 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 1mA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 80 V | 30 V | 25 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | 19.4A (Ta), 100A (Tc) | 218A (Tc) | 39A (Ta), 49A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMS10C4D2N PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMS10C4D2N - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที