ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGY60T120SQDN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGY60T120SQDN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGY60T120SQDN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.95V @ 15V, 60A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 52ns/296ns | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 517 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 311 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGY60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGY60T120SQDN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGY60T120SQDN | FGY40T120SMD | FGY75N60SMD | IXGH15N120B |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | IXYS |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | TO-247-3 | TO-247-3 Variant | TO-247-3 |
| ชุด | - | - | - | HiPerFAST™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 52ns/296ns | 40ns/475ns | 24ns/136ns | 25ns/180ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | 80 A | 150 A | 30 A |
| ประเภท IGBT | - | Trench Field Stop | Field Stop | PT |
| การสลับพลังงาน | - | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 2.3mJ (on), 770µJ (off) | 1.75mJ (off) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGY60 | FGY40T120 | - | IXGH15 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.95V @ 15V, 60A | 2.4V @ 15V, 40A | 2.5V @ 15V, 75A | 3.2V @ 15V, 15A |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 311 nC | 370 nC | 248 nC | 69 nC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247 | PowerTO-247-3 | TO-247AD |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 400V, 75A, 3Ohm, 15V | 960V, 15A, 10Ohm, 15V |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | 160 A | 225 A | 60 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 517 W | 882 W | 750 W | 180 W |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGY60T120SQDN PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGY60T120SQDN - onsemi
FGY40T120SMDonsemiIGBT 1200V 80A TO-247FGY75N60SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGY160T65SPD-F085-01AMI Semiconductor/onsemiIXGH15N120BIXYSIGBT 1200V 30A 180W TO247AD
IRGB5B120KDPBFInfineon TechnologiesIGBT 1200V 12A 89W TO220ABIXBH9N160GIXYSIGBT 1600V 9A 100W TO247AD
AOT10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.IGBT 600V 20A 163W TO220
STGF10NB60SDSTMicroelectronicsIGBT 600V 23A 25W TO220FP
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 20A 62W DPAKFGY120T65SPD-F085onsemiIGBT 650V 240A 882W TO-247FGY75T95SQDTONsemiFGY160T65SPD-F085onsemi650V FS GEN3 TRENCH IGBT
IRG4BC30U-SInfineon TechnologiesIGBT 600V 23A 100W D2PAKFGY75N60SMDonsemiIGBT 600V 150A 750W POWER-247FGY100T65SCDTONsemi
NGD18N45CLBT4GLittelfuse Inc.IGBT 500V 18A DPAKFGY160T65SPDONsemiFGY75T120SQDNonsemiIGBT 1200V 75A UFS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที