ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTP12N60C3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTP12N60C3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTP12N60C3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 12A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | 380µJ (on), 900µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 48 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 24 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTP12N60 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTP12N60C3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTP12N60C3 | HGTP12N60A4D | HGTP12N60C3D | HGTP14N36G3VL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ประเภท IGBT | - | - | - | Trench |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Logic |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.2V @ 15V, 15A | 2.2V @ 5V, 14A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 24 A | 54 A | 24 A | 18 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 390 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | 167 W | 104 W | 100 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTP12N60 | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 380µJ (on), 900µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 380µJ (on), 900µJ (off) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 17ns/96ns | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ทดสอบสภาพ | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | 96 A | 96 A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 48 nC | 78 nC | 48 nC | 24 nC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTP12N60C3 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTP12N60C3 - onsemi
HGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP1N120CNDFairchild (onsemi)
HGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorInsulated Gate Bipolar TransistoHGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO220-3HGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP12N60C3DonsemiIGBT 600V 24A TO220-3HGTP20N60B3HARRISHGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที