ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTP20N60A4
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTP20N60A4 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTP20N60A4
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/73ns | |
| การสลับพลังงาน | 105µJ (on), 150µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 142 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 280 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTP20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTP20N60A4
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTP20N60A4 | HGTP2N120CN | HGTP12N60A4D | HGTP14N36G3VL |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | 13 A | 54 A | 18 A |
| ประเภท IGBT | - | NPT | - | Trench |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/73ns | 25ns/205ns | 17ns/96ns | - |
| การสลับพลังงาน | 105µJ (on), 150µJ (off) | 96µJ (on), 355µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTP20 | HGTP2N120 | HGTP12N60 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 142 nC | 30 nC | 78 nC | 24 nC |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 280 A | 20 A | 96 A | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | 104 W | 167 W | 100 W |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 390 V |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Logic |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 2.6A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.2V @ 5V, 14A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTP20N60A4 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTP20N60A4 - onsemi
HGTP2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W TO220ABHGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorInsulated Gate Bipolar TransistoHGTP3N60A4,G3N60A4Fairchild (onsemi)HGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP3N60A4DonsemiIGBT 600V 17A 70W TO220ABHGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3DonsemiIGBT 600V 24A TO220-3HGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220ABHGTP3N60A4onsemiIGBT 600V 17A 70W TO220ABHGTP1N120CNDFairchild (onsemi)HGTP20N60C3Fairchild (onsemi)
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HGTP20N60B3HARRISHGTP3N60A4Harris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP3N60A4DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที