ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20150CTTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR20150CTTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR20150CTTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20150 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR20150CTTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20150CTTU | MBR20150CTP | MBR20150CT-G | MBR20150CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Comchip Technology | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 1.05 V @ 20 A | 850 mV @ 10 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | ITO-220S | TO-220AB | TO-220AB |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20150 | MBR20150CT | MBR20150 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 150 V | 100 µA @ 150 V | 100 µA @ 150 V | 100 µA @ 150 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | 20A | 20A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20150CTTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR20150CTTU - onsemi
MBR20150CTPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220MBR20150CT-GComchip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR20150CTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 150V 20A TO-220AB
MBR20150DCPANJIT
MBR20150CTGAMI Semiconductor/onsemiMBR20150CT_T0_00101PANJITMBR20150CT-LJDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 150V 10A TO220AB
MBR20150CT.TULITEONMBR20150CTDiotec SemiconductorSchottkyD, 150V, 20AMBR20150PHNMBR20150CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220FMBR20150DC-R2PANJITMBR20150FMHCHXMMBR20150CT-1IRMBR20150FCT_T0_00101PANJIT
MBR20150CTTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHAMBR20150CTWLT
MBR20150FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 150V 20A ITO-220A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที