ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20S100CTTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR20S100CTTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR20S100CTTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20S100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR20S100CTTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20S100CTTU | MBR20L80CTG | MBR20L100CT | MBR20L60CTG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220 | TO-220AB | TO-220 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | 10A | 20A | 10A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 80 V | 100 V | 60 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | 500 µA @ 80 V | 20 µA @ 100 V | 380 µA @ 60 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20S100 | MBR20L80 | MBR20 | MBR20L60 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -20°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 20 A | 670 mV @ 10 A | 850 mV @ 20 A | 570 mV @ 10 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20S100CTTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR20S100CTTU - onsemi
MBR20U150CTHSIRECTMBR20U150CTEDA
MBR2100AMI Semiconductor/onsemiMBR20U100CTSIRECT
MBR20SA060A-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR20U100CTHSIRECT
MBR20S100CTFairchild (onsemi)
MBR20T100CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR20SA060-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR20L80CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220ABMBR20L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220ABMBR20L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
MBR20H45CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR20H60CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR20H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR20U60CTMBR20L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR20H45CTAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที