ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMUN2132LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMUN2132LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMUN2132LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 4.7 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 4.7 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 246 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 15 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMUN2132 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMUN2132LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMUN2132LT1G | MMUN2211LT1 | MMUN2114LT1 | MMUN2133LT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | - | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | - | PNP - Pre-Biased |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMUN2132 | MMUN2211 | MMUN2114 | MMUN2133 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | - | 50 V |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 15 @ 5mA, 10V | 35 @ 5mA, 10V | - | 80 @ 5mA, 10V |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 4.7 kOhms | 10 kOhms | - | 47 kOhms |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | - | 500nA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 4.7 kOhms | 10 kOhms | - | 4.7 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 246 mW | 246 mW | - | 246 mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | - | SOT-23-3 (TO-236) |
| ชุด | - | - | * | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | - | 100 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMUN2132LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMUN2132LT1G - onsemi
MMUN2211LT1onsemiTRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23MMUN2114LT1onsemiTRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23MMUN2133LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3MMUN2114LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3MMUN2137LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23MMUN2130LT1onsemiTRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3MMUN2116LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3MMUN2134LT1onsemiTRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3MMUN2211LT3GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2131LT1GRochester Electronics, LLCMMUN2131 - DIGITAL BJT PNP - PREMMUN2131LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3MMUN2115LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
MMUN211RLT1GAMI Semiconductor/onsemiMMUN2116LT1onsemiTRANS BRT PNP 50V SOT-23MMUN2211LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3MMUN2133TLIAMI Semiconductor/onsemiMMUN2133LT1onsemiTRANS BRT PNP 50V SOT-23MMUN2130LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที