ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTP50P03HDL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTP50P03HDL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTP50P03HDL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP50 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTP50P03HDL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTP50P03HDL | MTP5N40E | MTP50P03HDLG | MTP50N05EL |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | VBSEMI |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | - | 30 V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | - | 5V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | - | ±15V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | - | TO-220 | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | - | 25mOhm @ 25A, 5V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4900 pF @ 25 V | - | 4900 pF @ 25 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | - | 125W (Tc) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | - | 50A (Tc) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP50 | - | MTP50 | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | - | 2V @ 250µA | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | - | TO-220-3 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | - |
| ชุด | - | * | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | - | 100 nC @ 5 V | - |
| ประเภท FET | P-Channel | - | P-Channel | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTP50P03HDL PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTP50P03HDL - onsemi
MTP50N05ELVBSEMIMTP5N40EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTP52N06VAMI Semiconductor/onsemiMTP4N80EAMI Semiconductor/onsemiMTP50N06VAMI Semiconductor/onsemiMTP50N05EMOTOROLAMTP50N06AMI Semiconductor/onsemiMTP5P06VAMI Semiconductor/onsemiMTP5N40VBSEMIMTP5008MTPIGBT ModuleMTP50P03HDLGonsemiMOSFET P-CH 30V 50A TO220ABMTP52N06VLMOTOROLAMTP50N06VLAMI Semiconductor/onsemiMTP5103J3CYSTEKECMTP4N90AMI Semiconductor/onsemiMTP50N06EMOTOROLAMTP5103N3-0-T1-GCYSTEKECMTP5103N3CYSTEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที