ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURA110T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURA110T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURA110T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURA110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURA110T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURA110T3G | MURA120T3 | MURA105T3 | MURA160T3G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 35 ns | 30 ns | 75 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 50 V | 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 1.25 V @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | SMA | SMA | SMA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURA110 | MURA120 | MURA105 | MURA160 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 100 V | 2 µA @ 200 V | 2 µA @ 50 V | 5 µA @ 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 2A | 2A | 1A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURA110T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURA110T3G - onsemi
MURA120T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 200V SMAMURA105T3onsemiDIODE GEN PURP 50V 2A SMAMURA160T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SMA
MUR880EonsemiDIODE GEN PURP 800V 8A TO220-2MURA1100T3GAMI Semiconductor/onsemiMURA130T3GonsemiDIODE GEN PURP 300V 2A SMA
MUR880Harris CorporationRECTIFIER DIODE, 8A, 800VMURA120T3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SMAMURA115T3GonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A SMAMURA140T3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A SMAMUR860SPANJITMURA120AMI Semiconductor/onsemiMURA110T3onsemiDIODE ULTRA FAST 2A 100V SMAMURA130T3onsemiDIODE GEN PURP 300V 2A SMAMURA105T3GonsemiDIODE GEN PURP 50V 2A SMAMURA140T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 400V SMAMUR860TGAMI Semiconductor/onsemiMUR880EGonsemiDIODE GEN PURP 800V 8A TO220-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที