ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURHB860CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURHB860CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURHB860CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.8 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | MEGAHERTZ™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURHB8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURHB860CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURHB860CT | MURHF860CT | MURHB860CTT4G | MURH860CTG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.8 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | 4A | 4A | 4A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | TO-220FP | D²PAK | TO-220 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | MEGAHERTZ™ | SWITCHMODE™ | MEGAHERTZ™ | MEGAHERTZ™ |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURHB8 | MURHF8 | MURHB860 | MURH860 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURHB860CT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURHB860CT - onsemi
MURP1040jinghengMURHF860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220FPMURHB860CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAKMURH860CTGonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220ABMURL20040CTIXFNIGBT ModuleMURH840CTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A TO220ABMURH860GAMI Semiconductor/onsemi
MURHD560W1T4GonsemiDIODE GEN PURP 600V 5A DPAKMURHB840CTT4onsemiDIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAKMURHB840GAMI Semiconductor/onsemiMURP10020CTMOTOROLAIGBT ModuleMURH860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220ABMURH860CTG UH860GAMI Semiconductor/onsemi
MURHS160T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SMBMURHB840CTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAKMURHD560T4GonsemiDIODE GEN PURP 600V 5A DPAKMURHB840CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAKMURL20056CTIXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที