ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี N25S818HAT21I
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - N25S818HAT21I คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - N25S818HAT21I
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SRAM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 16 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | N25S818 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi N25S818HAT21I
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | N25S818HAT21I | N25W064A11EF640E | N25S830HAS22I | N25S830HAT22I |
| ผู้ผลิต | onsemi | Micron Technology Inc. | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Non-Volatile | Volatile | Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 8-VDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | FLASH | SRAM | SRAM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | 8-SOIC | 8-TSSOP |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | 64Mbit | 256Kbit | 256Kbit |
| ความถี่นาฬิกา | 16 MHz | 108 MHz | 20 MHz | 20 MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tray | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | SRAM | FLASH - NOR | SRAM | SRAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | N25S818 | N25W064 | N25S830 | N25S830 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -25°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 2V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | 16M x 4 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล N25S818HAT21I PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ N25S818HAT21I - onsemi
N25W064A11EF640EMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT SPI 8VDFPN
N25S80-75HENANSI
N25W032A11EF640FMicron Technology
N25W128A11EF740FSTMicroelectronicsN25S40-100HENANSIN25S40NANSIN25S32-75HENANSI
N25S16AHERGSpansion (Cypress Semiconductor)N25W064A11EF640FMicron TechnologyN25S16-100HE 121L10ENAASIN25S830HAS22IonsemiIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOICN25S830HAT22IonsemiIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOPN25W128A11EF740Micron TechnologyN25S16BHETGNANSIN25S40ANETGSpansion (Cypress Semiconductor)N25S830HAS22ITonsemiIC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOICN25S80-100DENANISN25W032A11EF640Micron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที