ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTD20N06L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTD20N06L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTD20N06L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 990 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTD20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTD20N06L
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTD20N06L | NTD20N06L-1G | NTD20N06LT4G | NTD20N06T4G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | 1.88W (Ta), 60W (Tj) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 5V | 48mOhm @ 10A, 5V | 48mOhm @ 10A, 5V | 46mOhm @ 10A, 10V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | 5V | 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | I-PAK | DPAK | DPAK |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) | 20A (Ta) | 20A (Ta) | 20A (Ta) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชุด | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 990 pF @ 25 V | 990 pF @ 25 V | 990 pF @ 25 V | 1015 pF @ 25 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTD20 | NTD20 | NTD20 | NTD20 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTD20N06L PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTD20N06L - onsemi
NTD20P03HDLT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD20N06HLAMI Semiconductor/onsemiNTD20N06L-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 20A IPAKNTD20N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 20A DPAKNTD20N06T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD20N03L27T4G 20N3LGAMI Semiconductor/onsemiNTD20P06ONsemiNTD20N03L27T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD20N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 20A DPAKNTD20N06AMI Semiconductor/onsemiNTD20P03AMI Semiconductor/onsemiNTD20N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 20A DPAKNTD20N06HDAMI Semiconductor/onsemiNTD20N03L27T4GonsemiMOSFET N-CH 30V 20A DPAKNTD20N06HDLT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD20N06HLG 20N06HLAMI Semiconductor/onsemiNTD20N06 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD20P06HDLT4AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที