ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTHS5441T1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTHS5441T1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTHS5441T1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ChipFET™ | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 710 pF @ 5 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.9A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHS54 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTHS5441T1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTHS5441T1 | NTHS5443T1G | NTHS4166NT1G | NTHS2101PT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | 8 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) | 2.3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 710 pF @ 5 V | - | 900 pF @ 15 V | 2400 pF @ 6.4 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 10 V | 30 nC @ 4.5 V |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHS54 | NTHS5443 | NTHS4166 | NTHS21 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | 65mOhm @ 3.6A, 4.5V | 22mOhm @ 4.9A, 10V | 25mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.9A (Ta) | 3.6A (Ta) | 4.9A (Ta) | 5.4A (Tj) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTHS5441T1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTHS5441T1 - onsemi
NTHS1206N02N1002KRVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 1206NTHS5443T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFETNTHS4166NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
NTHS1206N02N5001JEVishay DaleTHERMISTOR NTC 5KOHM 3477K 1206NTHS1206N17N1003JEVishay DaleTHERM NTC 100KOHM 4064K 1206NTHS2101PT1GonsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS4501NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFETNTHS5404T1onsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETNTHS1206N02N1002JEVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3500K 1206NTHS5404T1GonsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETNTHS5443T1onsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
NTHS5443T1HonsemiPFET CHPFT 20V 4.9A 65MOHNTHS4111PT1onsemiP-CHANNEL MOSFETNTHS5441T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFETNTHS2101PT1onsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS1206N02N1002JRVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 1206NTHS4101PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
NTHS0805N11N1502JEVishay DaleTHERMISTOR NTC 15KOHM 3700K 0805| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที