ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMD2C02R2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMD2C02R2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMD2C02R2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.2A, 3.4A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD2C |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMD2C02R2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMD2C02R2G | NTMC1300R2 | NTMC083NP10M5L | NTMD2C02R2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V | 90mOhm @ 3A, 10V | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V | 43mOhm @ 4A, 4.5V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 5nC @ 4.5V | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V | 20nC @ 4.5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD2C | NTMC13 | NTMC083 | NTMD2C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 2W | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) | 2W |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.2A, 3.4A | 2.2A, 1.8A | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) | 5.2A, 3.4A |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100pF @ 10V | 300pF @ 20V | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V | 1100pF @ 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | - | 1.2V @ 250µA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 30V | 100V | 20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMD2C02R2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMD2C02R2G - onsemi
NTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOICNTMC083NP10M5LonsemiNTMC083NP10M5LNTMD2C02R2onsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD4820NAMI Semiconductor/onsemi
NTMD3P03R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOICNTMD4184PFR2GonsemiDUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFENTMD3N08LR2onsemiMOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
NTMD3N08LR2GVBSEMINTM2369NECNTMD4102PR2GVBSEMINTMD4820NR2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICNTMD3N03MOTNTM3906NECNTMD4184PAMI Semiconductor/onsemiNTMD3P03R2GonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMD2P01R2GonsemiMOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOICNTM2369-T2BNECNTM2369-T1BNEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที