ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMFS0D55N03CGT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMFS0D55N03CGT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMFS0D55N03CGT1G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 330µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 30A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.1W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 18500 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 224.9 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMFS0D55N03CGT1G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMFS0D55N03CGT1G | NTMFS4108NT3G | NTMFS4108NT1G | NTMFS0D7N03CGT1G |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 18500 pF @ 15 V | 6000 pF @ 15 V | 6000 pF @ 15 V | 12300 pF @ 15 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 330µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 280µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.1W (Ta) | 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) | 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) | 4W (Ta), 187W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 224.9 nC @ 10 V | 54 nC @ 4.5 V | 54 nC @ 4.5 V | 147 nC @ 10 V |
ชุด | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Ta) | 13.5A (Ta) | 13.5A (Ta) | 59A (Ta), 409A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 30A, 10V | 2.2mOhm @ 21A, 10V | 2.2mOhm @ 21A, 10V | 0.65mOhm @ 30A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMFS0D55N03CGT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMFS0D55N03CGT1G - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที