ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGH40N60UFTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGH40N60UFTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGH40N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/65ns | |
| การสลับพลังงาน | 160µJ (on), 200µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 160 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 97 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH40N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGH40N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGH40N60UFTU | SGH40N60UFTU | SGH20N60RUFDTU | SGH80N60UFDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 160µJ (on), 200µJ (off) | 160µJ (on), 200µJ (off) | 524µJ (on), 473µJ (off) | 570µJ (on), 590µJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 97 nC | 97 nC | 55 nC | 175 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 160 W | 160 W | 195 W | 195 W |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | 160 A | 60 A | 220 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/65ns | 15ns/65ns | 30ns/48ns | 23ns/90ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH40N60 | SGH40N60 | SGH20N | SGH80 |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 40A, 5Ohm, 15V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 20A | 2.6V @ 15V, 20A | 2.8V @ 15V, 20A | 2.6V @ 15V, 40A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | 40 A | 32 A | 80 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGH40N60UFTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGH40N60UFTU - onsemi
SGH40N60UFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
SGH80N60UFDFSCSGH30N60RUFDFSCSGH20N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 32A 195W TO3PSGH40N60SECSGHI1005H10NJTSGH5612F-00-T6SONY
SGH40N60UFDAMI Semiconductor/onsemiSGH23N60UFFairchild (onsemi)SGH80N60UFDTUonsemiIGBT 600V 80A 195W TO3P
SGHD-002T-P0.2JSTSGH40N60UFFairchild (onsemi)SGH20N60RUFTUFSCSGH40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PSGH80N60UFFairchild (onsemi)SGH23N60UFDTUonsemiIGBT 600V 23A 100W TO3PSGH30N60TUFSCSGH23N60UFDFSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที