ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IGP01N120H2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IGP01N120H2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IGP01N120H2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 1A | |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 1A, 241Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/370ns | |
| การสลับพลังงาน | 140µJ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 28 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 8.6 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 3.5 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3.2 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IGP01N120H2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IGP01N120H2 | IGP03N120H2 | IGP50N60T | IGP20N60H3 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | - |
| ประเภท IGBT | - | - | Trench Field Stop | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 8.6 nC | 22 nC | 310 nC | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | - |
| การสลับพลังงาน | 140µJ | 290µJ | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3.2 A | 9.6 A | 90 A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 600 V | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 3.5 A | 9.9 A | 150 A | - |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 1A, 241Ohm, 15V | 800V, 3A, 82Ohm, 15V | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | - |
| ชุด | - | - | TRENCHSTOP™ | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/370ns | 9.2ns/281ns | 26ns/299ns | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 28 W | 62.5 W | 333 W | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 1A | 2.8V @ 15V, 3A | 2V @ 15V, 50A | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
IGP03N120H2Infineon TechnologiesIGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNELIGP03N120H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP15N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP10N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP50N60TXKSA1InfineonIGP30N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGP06N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N65H5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP128NVIDIAIGP50N60TInfineon TechnologiesIGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP20N60H3Infineon TechnologiesIGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
IGP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 650V 42A TO220-3IGP30N60H3Infineon TechnologiesIGP30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP15N60T G15T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 650V 55A TO220-3IGP06N60T G06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP20N65F5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 650V 55A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที