Name: Infineon Technologies IRF9Z24NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z24NSTRLPBF

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D2PAK
ชุด	HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	175mOhm @ 7.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	350 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	19 nC @ 10 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	55 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	12A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF9Z24

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IRF9Z24NSTRLPBF	IRF9Z24NS	IRF9Z24STRRPBF	IRF9Z20PBF
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	19 nC @ 10 V	19 nC @ 10 V	19 nC @ 10 V	26 nC @ 10 V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 45W (Tc)	3.8W (Ta), 45W (Tc)	3.7W (Ta), 60W (Tc)	40W (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF9Z24	-	IRF9Z24	IRF9Z20
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	55 V	55 V	60 V	50 V
ชุด	HEXFET®	HEXFET®	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)	Tube
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	175mOhm @ 7.2A, 10V	175mOhm @ 7.2A, 10V	280mOhm @ 6.6A, 10V	280mOhm @ 5.6A, 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D2PAK	D2PAK	D²PAK (TO-263)	TO-220AB
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-220-3
ประเภท FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	12A (Tc)	12A (Tc)	11A (Tc)	9.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	350 pF @ 25 V	350 pF @ 25 V	570 pF @ 25 V	480 pF @ 25 V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IRF9Z24NSTRLPBF - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IRF9Z24NSTRLPBF Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค