ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFH7545TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.7V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PQFN (5x6) | |
ชุด | StrongIRFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 51A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3890 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 85A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFH7545 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFH7545TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFH7545TRPBF | IRFH7914TRPBF | IRFH7440TR2PBF | IRFH7190TRPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | 3.1W (Ta) | - | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 30 V | 40 V | 100 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.7V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 3.9V @ 100µA | 3.6V @ 100µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFH7545 | IRFH7914 | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 138 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | - | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 85A (Tc) | 15A (Ta), 35A (Tc) | 85A (Tc) | 15A (Ta), 82A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 51A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 7.5mOhm @ 49A, 10V |
ชุด | StrongIRFET™ | HEXFET® | - | FASTIRFET™, HEXFET® |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3890 pF @ 25 V | 1160 pF @ 15 V | 4574 pF @ 25 V | 1685 pF @ 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFH7545TRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFH7545TRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที