ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGD02N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SGD02N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SGD02N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 2A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 2A, 118Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 20ns/259ns | |
| การสลับพลังงาน | 36µJ (on), 28µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-11 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 14 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 12 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 6 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SGD02N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGD02N60 | NGTB40N120L3WG | IXSH15N120BD1 | IRG4BC30U-S |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | onsemi | IXYS | Infineon Technologies |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 20ns/259ns | 18ns/150ns | 30ns/148ns | 17ns/78ns |
| ประเภท IGBT | NPT | Trench Field Stop | PT | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W | 454 W | 150 W | 100 W |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 12 A | 160 A | 60 A | 92 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 1200 V | 600 V |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 2A, 118Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 960V, 15A, 10Ohm, 15V | 480V, 12A, 23Ohm, 15V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 2A | 2V @ 15V, 40A | 3.4V @ 15V, 15A | 2.1V @ 15V, 12A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 14 nC | 220 nC | 57 nC | 50 nC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-11 | TO-247-3 | TO-247AD | D2PAK |
| การสลับพลังงาน | 36µJ (on), 28µJ (off) | 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) | 1.5mJ (off) | 160µJ (on), 200µJ (off) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 6 A | 160 A | 30 A | 23 A |
SGD1K1N65W3SIGMANGTB40N120L3WGonsemiIGBT 1200V 160A TO247SGD100N12SRIDOIGBT ModuleIXSH15N120BD1IXYSIGBT 1200V 30A 150W TO247SGD06N60INENOIIRG4BC30U-SInfineon TechnologiesIGBT 600V 23A 100W D2PAK
SGD02N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
RJH60F7DPQ-A0#T0Renesas Electronics America IncIGBT 600V 90A 328.9W TO247ASGD23N60UFDFSCSGD04N60VBsemiSGD20C01TB MOSSILICONGEARSGD100N14SRIDOIGBT Module
STGP20M65DF2STMicroelectronicsIGBT TRENCH 650V 40A TO220
IRG4PC40UInfineon TechnologiesIGBT 600V 40A 160W TO247AC
FGA20S120MFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 1200V, N-CHANNELSGD2021SGDIXGH24N170IXYSIGBT 1700V 50A 250W TO247ADSGD02N120 02N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที