ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGW20N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SGW20N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SGW20N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 20A, 16Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 36ns/225ns | |
| การสลับพลังงาน | 440µJ (on), 330µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-21 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 179 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SGW20N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGW20N60 | IGB50N60TATMA1 | FGA20N120FTDTU | STGW35NB60SD |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi | STMicroelectronics |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | 100 A | 40 A | 70 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | 310 nC | 137 nC | 83 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 179 W | 333 W | 298 W | 200 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | NPT | Trench | Trench Field Stop | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | 150 A | 60 A | 250 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-247-3 |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 20A, 16Ohm, 15V | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | - | 480V, 20A, 100Ohm, 15V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 20A | 2V @ 15V, 50A | 2V @ 15V, 20A | 1.7V @ 15V, 20A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-21 | PG-TO263-3-2 | TO-3P | TO-247-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 36ns/225ns | 26ns/299ns | - | 92ns/1.1µs |
| การสลับพลังงาน | 440µJ (on), 330µJ (off) | 2.6mJ | - | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
| ชุด | - | TrenchStop® | - | PowerMESH™ |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
SGW23N60UFTMFSCIGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2FGA20N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 40A 298W TO3PNSGW13N60UFTMFSCSTGW35NB60SDSTMicroelectronicsIGBT 600V 70A 200W TO247
RJH60F4DPQ-A0#T0Renesas Electronics America IncIGBT 600V 60A 235.8W TO247A
SGW50N60 G50N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGW50N60HSInfineon TechnologiesIGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
IRG4PC40FDInfineon TechnologiesIGBT 600V 49A 160W TO247ACSGW15N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGW30N60HSInfineon TechnologiesIGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
IXXH60N65B4H1IXYSIGBT 650V 116A 380W TO247AD
TIG056BFonsemiIGBT 400V 30W TO220SGW25N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGW30N60Infineon TechnologiesIGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, NSGW20N60HSInfineon TechnologiesIGBT, 36A, 600V, N-CHANNELSTGW80V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 120A 469W TO247FGI3040G2-F085onsemiECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที