ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGW30N60HS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SGW30N60HS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SGW30N60HS
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.15V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 11Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 20ns/250ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.15mJ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 141 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 112 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGW30N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SGW30N60HS
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGW30N60HS | IXGH72N60C3 | SGW20N60 | FGS15N40LTF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | IXYS | Infineon Technologies | onsemi |
| ชุด | - | GenX3™ | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 400 V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 20ns/250ns | 27ns/77ns | 36ns/225ns | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.15V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 50A | 2.4V @ 15V, 20A | 8V @ 4V, 130A |
| การสลับพลังงาน | 1.15mJ | 1.03mJ (on), 480µJ (off) | 440µJ (on), 330µJ (off) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 112 A | 360 A | 80 A | 130 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGW30N | IXGH72 | - | FGS15 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | TO-247AD | PG-TO247-3-21 | 8-SOIC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ประเภท IGBT | NPT | PT | NPT | Trench |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 11Ohm, 15V | 480V, 50A, 2Ohm, 15V | 400V, 20A, 16Ohm, 15V | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 540 W | 179 W | 2 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | 75 A | 40 A | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 141 nC | 174 nC | 100 nC | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
SGW15N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IXGH72N60C3IXYSIGBT 600V 75A 540W TO247ADSGW25N12NOIGBT ModuleSGW20N60Infineon TechnologiesIGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, NFGS15N40LTFonsemiIGBT 400V 2W 8SOPSGW13N60UFTMFSCSGW30N60Infineon TechnologiesIGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, NSGW23N60UFTMFSC
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
IRG4BC40WInfineon TechnologiesIGBT 600V 40A 160W TO220ABSGW25N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGW50N60HSInfineon TechnologiesIGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
STGW19NC60HSTMicroelectronicsIGBT 600V 42A 140W TO-247SGW20N60HSInfineon TechnologiesIGBT, 36A, 600V, N-CHANNELIXSH40N60AIXYSIGBT 600V 75A 300W TO247ADSGW5N60RUFTMFSCSGW15N120InfineonSGW50N60 G50N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที