ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SPP80N08S2-07
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SPP80N08S2-07 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SPP80N08S2-07
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | |
ชุด | OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 66A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6130 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPP80N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SPP80N08S2-07
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SPP80N08S2-07 | SPP80N06S2-08 | SPP80N06S2-H5 | SPP80N06S2L-06 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 155 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPP80N | SPP80N | SPP80N | SPP80N |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 150µA | 4V @ 230µA | 2V @ 180µA |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | 55 V | 55 V | 55 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | 215W (Tc) | 300W (Tc) | 250W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 66A, 10V | 8mOhm @ 58A, 10V | 5.5mOhm @ 80A, 10V | 6.3mOhm @ 69A, 10V |
ชุด | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6130 pF @ 25 V | 3800 pF @ 25 V | 5500 pF @ 25 V | 5050 pF @ 25 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SPP80N08S2-07 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ SPP80N08S2-07 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที