ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU410
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - GBU410 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - GBU410
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 2 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU410 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated GBU410
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU410 | GBU4J-E3/45 | GBU406 | GBU4J-E3/51 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU410 | GBU4 | - | GBU4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 600 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | 3 A | 4 A | 4 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-ESIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU410 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ GBU410 - Diodes Incorporated
GBU406 C2Taiwan SemiconductorGBU4J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUGBU406Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 4A GBU
GBU406CHYGBU4J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
GBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayGBU4J_B0_10001-PECPANJITGBU408Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 4A GBUGBU410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A GBUGBU408Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
GBU407Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
GBU410SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
GBU408-HFLITEONGBU4K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBUGBU408-TULITEONGBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBUGBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU408SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที