ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EPC2012C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EPC - EPC2012C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EPC - EPC2012C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EPC | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | +6V, -4V | |
| เทคโนโลยี | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Die | |
| ชุด | eGaN® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Die | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 140 pF @ 100 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EPC20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EPC EPC2012C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EPC2012C | EPC2039 | EPC2001C | EPC2019 |
| ผู้ผลิต | EPC | EPC | EPC | EPC |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | 6.8A (Ta) | 36A (Ta) | 8.5A (Ta) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Die | Die | Die | Die |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EPC20 | EPC20 | EPC20 | EPC20 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 2mA | 2.5V @ 5mA | 2.5V @ 1.5mA |
| ชุด | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V | 2.4 nC @ 5 V | 9 nC @ 5 V | 2.9 nC @ 5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Die | Die | Die | Die |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 80 V | 100 V | 200 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V | 25mOhm @ 6A, 5V | 7mOhm @ 25A, 5V | 42mOhm @ 7A, 5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 140 pF @ 100 V | 210 pF @ 40 V | 900 pF @ 50 V | 288 pF @ 100 V |
| Vgs (สูงสุด) | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -4V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EPC2012C PDF และเอกสาร EPC สำหรับ EPC2012C - EPC
EPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIEEPC2001CEPCGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC1LI20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
EPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC1PTI8NN/AEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC1PC8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
EPC1PC8NALTERAEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2016CEPCGANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2010CEPCGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIEEPC1P18NALTERA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที