ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EPC8010
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EPC - EPC8010 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EPC - EPC8010
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EPC | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | +6V, -4V | |
| เทคโนโลยี | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Die | |
| ชุด | eGaN® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Die | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 55 pF @ 50 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EPC EPC8010
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EPC8010 | EPC8009 | EPC4QI100N | EPC4QC100N |
| ผู้ผลิต | EPC | EPC | Intel | Intel |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (สูงสุด) | +6V, -4V | +6V, -4V | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | eGaN® | eGaN® | EPC | EPC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 55 pF @ 50 V | 52 pF @ 32.5 V | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Die | Die | 100-PQFP (20x14) | 100-PQFP (20x14) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Die | Die | 100-BQFP | 100-BQFP |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V | 130mOhm @ 500mA, 5V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 65 V | - | - |
| เทคโนโลยี | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) | 4A (Ta) | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V | 0.45 nC @ 5 V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EPC8010 PDF และเอกสาร EPC สำหรับ EPC8010 - EPC
EPC4QI100NIntelIC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFPEPC4QC100NIntelIC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
EPCOS7681EPCOS (TDK)EPCOS7749EPCOS (TDK)EPC8009EPCGANFET N-CH 65V 4A DIEEPC320-CSP16ABEPC3550G-LFPCA Electronics, Inc.EPCOS4203EPCOS (TDK)EPC8QC100NIntelIC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFPEPC8QI100NIntelIC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFPEPC4QI100IntelIC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFPEPC4QC100IntelIC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFPEPCIO6988-02GITRIEPCOS BB103EPCOS (TDK)EPC8QI100IntelIC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFPEPC3126G-2-LFPCA Electronics, Inc.EPC8QC100IntelIC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
EPC4QC100TAltera (Intel)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที