ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR25H256MDF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR25H256MDF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR25H256MDF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFN (5x6) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR25H256 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR25H256MDF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR25H256MDF | MR25H10CDC | MR25H10CDFR | MR25H128ACDF |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | 128K x 8 | 128K x 8 | 16K x 8 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR25H256 | MR25H10 | MR25H10 | MR25H128 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFN (5x6) | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) | Tray |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | 1Mbit | 1Mbit | 128Kbit |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | 40 MHz | 40 MHz | 40 MHz |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR25H256MDF PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR25H256MDF - Everspin Technologies Inc.
MR25H10CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H10CDFREverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
MR27C1602B-075MAZ03AOKIMR25H128ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 128KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H40CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR26V6455J-103OKIMR25H256MDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H256CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H40MDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR26V6420GOKIMR26V25605JOKIMR25H256CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H256ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H16CDCN/AMR25H10CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR27C1602BRAOKIMR26V25655J-OHEMB03AOKIMR25H40CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที