ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAV19TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - BAV19TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - BAV19TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 120 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor BAV19TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAV19TR | BAV19W | BAV19W-TP | BAV19W |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | Micro Commercial Co | Good-Ark Semiconductor |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | SOD-123F | SOD-123 | SOD-123 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 120 V | 250 V | 100 V | 120 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 100 V | 100 µA @ 100 V | 100 nA @ 100 V | 100 nA @ 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 200 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | SOD-123F | SOD-123 | SOD-123 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
BAV19W A8CJBAV19WTaiwan Semiconductor CorporationSOD-123F, 250V, 0.2A, SWITCHINGBAV199S_R1PANJITBAV19W-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123BAV199WDiotec SemiconductorDIODE SOT-323 85V 0.14A 3000NSBAV19WGood-Ark SemiconductorDIODE, SWITCHING, 400MA, 120V, S
BAV199W-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT323
BAV19W-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
BAV199W,115NXP USA Inc.DIODE ARRAY 75V 110MA SOT323BAV199WQ-7Diodes IncorporatedDIODES ARRAY GP 100V SOT323BAV19W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123BAV199T/RPANJIT
BAV199T-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523
BAV199WQ-7-FDiodes Incorporated
BAV199W,115Nexperia USA Inc.DIODE ARRAY GP 75V 110MA SOT323
BAV19WSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
BAV19TRonsemiDIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
BAV19W-V-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที