ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DCB010-TB-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - DCB010-TB-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - DCB010-TB-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CP | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor DCB010-TB-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DCB010-TB-E | MBR1560CT | MBRD10100CT | MBR20150SCT-E1 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Littelfuse Inc. | Diodes Incorporated |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CP | TO-220-3 | TO-252, (D-Pak) | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 750 mV @ 7.5 A | 850 mV @ 5 A | 900 mV @ 10 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 15A | 5A | 10A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 60 V | 100 V | 150 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | 1 mA @ 60 V | 1 mA @ 100 V | 500 µA @ 150 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | - | - |
| ชุด | - | - | MBR | - |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Schottky |
DCB010-TB-FAMI Semiconductor/onsemiDCB015-T1AMI Semiconductor/onsemiMBR1560CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBRD10100CTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252DCB015-TBAMI Semiconductor/onsemiMBR20150SCT-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTT 150V 10A TO220-3DCB015-TB-ESanyoDCB015 - SILICON EPITAXIAL PLANA
VS-16CTQ100STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAKMBR3045CT-LJDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 45V 15A TO220AB
BAS21DW-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT363DCB015-TAAMI Semiconductor/onsemi
HFA12PA120CVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 1200V 6A TO247ACDCB010-TBDCB010-TB-EonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA 3CP
MURB1620CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
SBR3045CTSMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 45V TO220ABDCB010-TAAMI Semiconductor/onsemiSBR10150CTLSMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที