ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EGP20J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - EGP20J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - EGP20J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-15 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor EGP20J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EGP20J | EGP20D-E3/73 | EGP20D | EGP20G |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | 200 V | 400 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-15 | DO-204AC (DO-15) | DO-15 | DO-15 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 2 A | 950 mV @ 2 A | 950 mV @ 2 A | 1.25 V @ 2 A |
| ชุด | - | SUPERECTIFIER® | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 2A | 2A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Cut Tape (CT) | Bulk | Bulk |
EGP20D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO204ACEGP30DL-6486GSEGP20DFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 2A, 200V, DO-15EGP20GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 2A DO15
EGP20JonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A DO15
EGP20G-E3Electro-Films (EFI) / VishayEGP20G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204ACEGP30DL-6085GSEGP20G-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204ACEGP20B-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
EGP30GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADEGP30GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 3A, 400V, DO-20EGP30ConsemiDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP20D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO204ACEGP30DonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201ADEGP20GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A DO15EGP20DonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A DO15EGP30CFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที