ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDH300ATR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDH300ATR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDH300ATR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDH300ATR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDH300ATR | FDH300 | FDH333 | FDH300ATR |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | 1 nA @ 125 V | 3 nA @ 125 V | 1 nA @ 125 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz | 6pF @ 0V, 1MHz | 6pF @ 0V, 1MHz | 6pF @ 0V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | 125 V | 125 V | 125 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA | 1.15 V @ 300 mA | 1 V @ 200 mA |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
FDH300onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH300ATRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
FDH210N08onsemiMOSFET N-CH 75V TO247-3FDH27N50onsemiMOSFET N-CH 500V 27A TO247-3FDH2N60FEIHONG
FDH3632Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDH333TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH300TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH055N15AEFairchild (onsemi)FDH333Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH44N50onsemiMOSFET N-CH 500V 44A TO247-3FDH3632onsemiMOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
FDH1040B-R14MP3Murata ElectronicsFDH3632 MOSFairchild (onsemi)FDH15N50onsemiMOSFET N-CH 500V 15A TO247-3FDH333TRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-FDH210N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที