ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDP24N40
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDP24N40 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDP24N40
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | UniFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 12A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3020 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDP24N40
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDP24N40 | FDP20N50F | FDP20N50 | FDP20AN06A0 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 9A (Ta), 45A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | 500 V | 500 V | 60 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 90W (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 12A, 10V | 260mOhm @ 10A, 10V | 230mOhm @ 10A, 10V | 20mOhm @ 45A, 10V |
| ชุด | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | PowerTrench® |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3020 pF @ 25 V | 3390 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FDP24ANFSCFDP2552 MOSFairchild (onsemi)FDP2523ON/FSCFDP20N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO220-3FDP20N50onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO220-3FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3FDP20N40Fairchild (onsemi)FDP22N50NonsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO220-3FDP2532onsemiMOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3FDP2570onsemiMOSFET N-CH 150V 22A TO220-3FDP20AN06AOFairchild (onsemi)FDP24N40onsemiMOSFET N-CH 400V 24A TO220-3FDP2552onsemiMOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3FDP2532Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP2532 MOSFairchild (onsemi)FDP20N50 MOSFairchild (onsemi)FDP2535DLAPARTRONFDP24AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที