ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDU2572
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDU2572 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDU2572
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 135W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1770 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta), 29A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDU2572
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDU2572 | FDU3N40TU | FDU3706 | FDU6296 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1770 pF @ 25 V | 225 pF @ 25 V | 1882 pF @ 10 V | 1440 pF @ 15 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 9mOhm @ 16.2A, 10V | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 400 V | 20 V | 30 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta), 29A (Tc) | 2A (Tc) | 14.7A (Ta), 50A (Tc) | 15A (Ta), 50A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±12V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 135W (Tc) | 30W (Tc) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
ชุด | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 23 nC @ 4.5 V | 31.5 nC @ 10 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที