ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3208
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3208 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3208
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3208 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3208
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3208 | 1N3177 | 1N3209R | 1N3208R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3208 | - | 1N3209 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-9 | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 240A | 40A | 40A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 75 µA @ 1600 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 400 V | 100 V | 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | 1.25 V @ 240 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3208 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3208 - GeneSiC Semiconductor
1N3177Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 240A DO91N3209RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N3177Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3209RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 15A DO51N3176Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3175Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 240A DO91N3209RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N3175Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO51N3208Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 15A DO51N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N3209Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 15A DO51N3176RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 350V 240A DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที