ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3210
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3210 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3210
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3210
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3210 | 1N3211R | 1N3210R | 1N3209R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-5 | DO-203AB (DO-5) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3210 | 1N3211R | - | 1N3209 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 15A | 40A | 40A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 300 V | 200 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3210 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3210 - GeneSiC Semiconductor
1N3211RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 15A DO51N3210RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N3209RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N3208RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N3211GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 15A DO51N3209RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 15A DO51N3210Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N3210RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 15A DO51N3211RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N3210RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 15A DO203AB1N3211RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที