ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3296A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3296A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3296A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 9 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3296 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3296A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3296A | 1N3296RA | 1N3296 | 1N3296R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3296 | - | - | 1N3296 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3296A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3296A - GeneSiC Semiconductor
1N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3296ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO8
1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3295Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 100A DO81N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3294RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 100A DO81N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO8| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที