ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5826
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N5826 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N5826
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 440 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5826 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N5826
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5826 | 1N5825 | 1N5829 | 1N5827 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 20 V | 10 mA @ 40 V | 2 mA @ 20 V | 10 mA @ 30 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 5A | 25A | 15A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 40 V | 20 V | 30 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5826 | 1N5825 | 1N5829 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | TOP HAT | DO-4 | DO-4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 440 mV @ 15 A | 380 mV @ 5 A | 580 mV @ 25 A | 470 mV @ 15 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5826 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N5826 - GeneSiC Semiconductor
1N5825Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 5A TOP HAT
1N5824T3GAMI Semiconductor/onsemi1N5825RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5827Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO41N5825 SS54JINGDAO1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5824RLGAMI Semiconductor/onsemi
1N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5825Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A AXIAL1N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5824Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A AXIAL1N5826Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5824/SS36TOS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที