ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBPC5010W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBPC5010W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBPC5010W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 25 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC5010 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBPC5010W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBPC5010W | GBPC3510W | GBPC5006 | GBPC3510W |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | onsemi | SURGE | SMC Diode Solutions |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | GBPC-W | GBPC | GBPC-W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bag | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 25 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 17.5 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A | 35 A | 50 A | 35 A |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 1 kV | 600 V | 1 kV |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC5010 | GBPC3510 | - | GBPC3510 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | QC Terminal | Through Hole |
| ชุด | - | - | GBPC50 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC-W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBPC5010W PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBPC5010W - GeneSiC Semiconductor
GBPC3510WonsemiBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-WGBPC5006SURGE50A -600V - GBPC - BRIDGEGBPC3510WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
GBPC5010WSURGE50A -1000V - GBPC-W - BRIDGE
GBPC3510WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A GBPCW-G
GBPC3512HY
GBPC604-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBPC6
GBPC610-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBPC6GBPC5010SURGE50A -1000V - GBPC - BRIDGEGBPC50160SEP
GBPC3512AElectro-Films (EFI) / VishayGBPC3510WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
GBPC5006Yangjie TechnologyDiodes - Bridge Rectifiers GBPC
GBPC3510WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
GBPC5006Taiwan Semiconductor Corporation50A, 600V, STANDARD BRIDGE RECTIGBPC5010Taiwan Semiconductor Corporation50A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECTGBPC3510W-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
GBPC5010Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 50A GBPC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที