ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR200150CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR200150CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR200150CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200150 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR200150CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR200150CT | MBR20030CT | MBR200100CT | MBR20020CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200150 | MBR20030 | MBR200100 | MBR20020 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 30 V | 100 V | 20 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 840 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR200150CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR200150CT - GeneSiC Semiconductor
MBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
MBR1H100SFONsemiMBR20020MOTOROLAIGBT Module
MBR180S1-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123MBR200100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR1H100SFT1GMSVMBR200100MOTOROLAIGBT Module
MBR1H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FLMBR200100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR200100CTSGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A SOT227MBR200200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWERMBR20015CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20025CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR19TQ015S-G-T4SSG| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที