ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR400150CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR400150CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR400150CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400150 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR400150CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR400150CT | MBR40040CT | MBR400200CT | MBR40030CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | 5 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 5 mA @ 20 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 40 V | 200 V | 30 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 200 A | 650 mV @ 100 A | 920 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400150 | MBR40040 | MBR400200 | MBR40030 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR400150CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR400150CT - GeneSiC Semiconductor
MBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR3H150SSPANJITMBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR40075CTIGBTIGBT ModuleMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4MBR40090CTIXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที