ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GD25LQ40CEIGR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ40CEIGR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ40CEIGR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GigaDevice | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50µs, 2.4ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.65V ~ 2.1V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-USON (2x3) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-XFDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 104 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25LQ40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GD25LQ40CEIGR | GD25LQ32ENIGR | GD25LQ32ESIGR | GD25LQ40BTIGR |
| ผู้ผลิต | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 32Mbit | 32Mbit | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25LQ40 | GD25LQ32 | GD25LQ32 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O, QPI | SPI - Quad I/O, QPI | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | 4M x 8 | 4M x 8 | - |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-UDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | - |
| ความถี่นาฬิกา | 104 MHz | 133 MHz | 133 MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.65V ~ 2.1V | 1.65V ~ 2V | 1.65V ~ 2V | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50µs, 2.4ms | 60µs, 2.4ms | 60µs, 2.4ms | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-USON (2x3) | 8-USON (4x3) | 8-SOP | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GD25LQ40CEIGR PDF และเอกสาร GigaDevice Semiconductor (HK) Limited สำหรับ GD25LQ40CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40BTIGRGDGD25LQ64CLIGR-SGGDGD25LQ64BWIGRGDGD25LQ64CAMGRGDGD25LQ40BWIGRGDGD25LQ40TIGRGDGD25LQ32ENIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USONGD25LQ64BVIGGDGD25LQ32WIGGDGD25LQ40BTIGYGDGD25LQ32ESIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25LQ32SIGYGIGADEGD25LQ40CQIGGDGD25LQ32EN2GRGigaDeviceGD25LQ64BWIGGDGD25LQ40MIGRGDGD25LQ64BVIGPGDGD25LQ40BUIGRGD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที