ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTD8P50G1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTD8P50G1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTD8P50G1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.7V @ 15V, 8A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 66 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 18 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 12 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTD8P50G1
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTD8P50G1 | HGTG11N120CND | HGTD7N60C3S9A | HGT1S7N60C3DS9A |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 18 A | 80 A | 56 A | 56 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 23ns/180ns | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.7V @ 15V, 8A | 2.4V @ 15V, 11A | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 12 A | 43 A | 14 A | 14 A |
| ทดสอบสภาพ | - | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | - | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | TO-247 | TO-252, (D-Pak) | TO-263AB |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 100 nC | 23 nC | 23 nC |
| ประเภท IGBT | - | NPT | - | - |
| การสลับพลังงาน | - | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 66 W | 298 W | 60 W | 60 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
HGTG12N60B3DITSHGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGTG18N120Fairchild (onsemi)
HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263AB
HGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที